OPTO-EDU A63.7190 300000x Microscopio elettronico di scansione a dimensione critica
-
Dimensione del waferA63.7190-68: 6/8 pollici
-
Risoluzione2.5nm (Acc=800V)
-
Voltaggi acceleranti0.5-1.6KV
-
RipetibilitàStatico e dinamico ±1% o 3nm (3 Sigma)
-
Corrente del raggio di sonda3 ~ 30 pA
-
Intervallo di misuraFOV 0,1-2,0 μm
-
Luogo di origineCina
-
MarcaCNOEC, OPTO-EDU
-
CertificazioneCE, Rohs
-
Numero di modelloA63.7190
-
Documento
-
Quantità di ordine minimo1 pc
-
PrezzoFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
Imballaggi particolariImballaggio del cartone, per il trasporto dell'esportazione
-
Tempi di consegnaDa 5 a 20 giorni
-
Termini di pagamentoT/T, unione ad ovest, Paypal
-
Capacità di alimentazioneun mese di 5000 pc
OPTO-EDU A63.7190 300000x Microscopio elettronico di scansione a dimensione critica
|
Un microscopio elettronico a scansione di dimensione critica (CD-SEM) è un SEM specializzato utilizzato per misurare le dimensioni di minuscole caratteristiche su wafer a semiconduttore, fotomaschere e altri materiali.Queste misure sono fondamentali per garantire l'accuratezza e la precisione dei dispositivi elettronici fabbricati.
️Compatibile con wafer da 6/8 di pollice Dimensione, ingrandimento 1000x-300000x ️Risoluzione 2,5 nm (Acc=800V), tensioni di accelerazione 500V-1600V ️Ripetibilità statica e dinamica ± 1% o 3 nm ((3 Sigma), corrente del fascio di sonda 3 ~ 30pA ️Progettazione di sistemi di trasferimento di wafer ad alta velocità adatti a chip semiconduttori di terza generazione ️Sistemi avanzati di elettronica ottica e di elaborazione delle immagini, compresi frigoriferi, pompe a secco |
|
▶Caratteristiche chiave I CD-SEM utilizzano un fascio di elettroni a bassa energia e hanno una calibrazione di ingrandimento migliorata per garantire misurazioni accurate e ripetibili.e gli angoli delle pareti laterali dei disegni. |
|
▶Scopo I CD-SEM sono essenziali per la metrologia nell'industria dei semiconduttori, aiutando a misurare le dimensioni critiche (CD) dei modelli creati durante i processi di litografia e incisione.I CD si riferiscono alle dimensioni più piccole delle caratteristiche che possono essere prodotte e misurate in modo affidabile su un wafer. |
|
▶Applicazioni Questi strumenti sono utilizzati nelle linee di produzione di dispositivi elettronici per garantire l'accuratezza dimensionale dei vari strati e caratteristiche che compongono un chip.Essi svolgono anche un ruolo cruciale nello sviluppo e nel controllo dei processi, aiuta a individuare e correggere eventuali problemi che possono sorgere durante il processo di fabbricazione.
▶Importanza Senza CD-SEM, la microelettronica moderna avrebbe difficoltà a raggiungere l'elevato livello di precisione e prestazioni richiesto dall'industria.Sono indispensabili per garantire l'affidabilità e la funzionalità dei moderni dispositivi elettronici. |
|
▶Tecnologia in evoluzione Man mano che le tecniche di litografia progrediscono e le dimensioni delle caratteristiche continuano a ridursi, i CD-SEM si evolvono costantemente per soddisfare le richieste dell'industria.Sono state sviluppate nuove tecnologie e progressi nel CD-SEM per affrontare le sfide della misurazione di modelli sempre più complessi |
| A63.7190 Microscopio elettronico di scansione a dimensione critica (CDSEM) | ||
| Dimensione del wafer | A63.7190-68: 6/8 pollici | A63.7190-1212 pollici. |
| Risoluzione | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| Voltaggi acceleranti | 0.5-1.6KV | 0.3-2.0KV |
| Ripetibilità | Static & Dynamic ± 1% o 3 nm ((3 Sigma) | Static & Dynamic ± 1% o 0,3 nm ((3 Sigma) |
| Corrente del raggio di sonda | 3 ~ 30 pA | 3 ~ 40 pA |
| Distanza di misura | FOV 0,1-2,0 μm | FOV 0,05 ~ 2,0 μm |
| Trasmissione | > 20 cialde/ora, | > 36 cialde/ora, |
| 1 punto/chip, | 1 punto/chip, | |
| 20 Patatine/Wafer | 20 Patatine/Wafer | |
| Ingrandimento | 1Kx~300Kx | 1Kx-500Kx |
| Accuratezza del palco | 0.5 μm | |
| Fonte elettronica | Emittente di campo termico Schottky | |
| Confronto dei principali modelli CDSEM sul mercato | |||||
| Specificità | Hitachi | Hitachi | Hitachi | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 | A63.7190-12 | |
| 1. Dimensione wafer | 6 pollici/8 pollici | 8 pollici/12 pollici | 8 pollici/12 pollici | 6 pollici/8 pollici | 12 pollici |
| 2. Risoluzione | 5 nm (Acc=800V) | 2 nm (Acc=800V) | 2 nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3. tensione di accelerazione | 500-1300V | 300-1600V | 300-1600V | 500-1600V | 300-2000V |
| 4. Ripetibilità (statica e dinamica) | ± 1% o 5 nm ((3 sigma) | ± 1% o 2 nm ((3 sigma) | ± 1% o 2 nm ((3 sigma) | ± 1% o 3 nm ((3 sigma) | ± 1% o 0,3 nm ((3 sigma) |
| 5. IP Range (corrente della sonda) | 1-16pA | 3-50 pA | 3-50 pA | 3-30 pA | 3-40pA |
| 6. Dimensione FOV | - | 50 nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7.Fatto. | 26 wafer/ora, | 24 wafer/ora, | 24 wafer/ora, | > 20 wafer/ora, | 36 wafer/ora, |
| 1 punto/chip, | 1 punto/chip, | 1 punto/chip, | 1 punto/chip, | 1 punto/chip, | |
| 5 patatine/wafer | 20 patatine/wafer | 20 patatine/wafer | 20 patatine/wafer | 20 patatine/wafer | |
I nostri prodotti sono venduti in tutto il mondo. Puoi stare certo dell'intero processo dei nostri prodotti.